نسل تازه حافظه های DRAM سامسونگ با سرعت بالا در راه است
به گزارش باتسک، سامسونگ به تازگی در رابطه با برنامه های خود برای فراوری و عرضه نسل بعدی حافظه های DRAM که شامل موارد مختلفی نظیر GDDR7 ،DDR5 ،LPDDR5X و V-NAND می شوند صحبت کرد.
سامسونگ به تازگی از برنامه های خود برای عرضه حافظه های DRAM تازه در راستای بهبود عملکرد در زمینه های مختلف از جمله پایگاه داده، سرورها، گوشی های هوشمند، گیمینگ و خودروها، صحبت کرد. اینطور که به نظر می رسد، این شرکت میخواهد سه حافظه DRAM مختلف را در آینده ای نزدیک رونمایی و راهی بازار کند که یکی از آن ها حافظه DDR5 با سرعت 32 گیگابیت به ازای هر چیپ است که دو برابر ظرفیت بیشتر در مقایسه با مدل 16 گیگابیتی موجود دارد و عملکرد آن 33٪ در مقایسه با حافظه 24 گیگابیتی DDR5 ICs سریع تر است.
این شرکت کره ای بعلاوه در رابطه با برنامه های خود برای عرضه نخستین حافظه پرسرعت GDDR7 هم صحبت کرد و مدعی شد که این نوع حافظه 36 گیگابیت بر ثانیه سرعت دارد. بدین ترتیب، فناوری یادشده 50٪ سرعت بیشتری در مقایسه با حافظه 24 گیگابیتی GDDR6 خواهد داشت. با سرعت 36 گیگابیت بر ثانیه، پهنای باند در رابط 384 بیتی به 1.7 ترابایت بر ثانیه می رسد. این اندازه در رابط 256 بیتی به 1.15 ترابایت کاهش پیدا می نماید که حتی در این حالت هم بسیار بیشتر از چیزی است که اکنون و با فناوری GDDR6X مایکرون که در کارت های سری RTX 40 انویدیا استفاده شده شاهد هستیم.
سومین حافظه هم مربوط به حافظه رم گوشی های هوشمند و اولترابوک ها است که از نوع LPDDR5X و با سرعت 8.5 گیگابیت بر ثانیه خواهند بود. اینطور که به نظر می رسد، در سال 2023 به احتمال زیاد این محصولات باید به حافظه های رم با فناوری یادشده مجهز شوند.
در نهایت هم سامسونگ در رابطه با بهبود سرعت تراشه های V-NAND صحبت کرد. سامسونگ در نظر دارد تراشه های 1Tb TLC V-NAND را از اواخر سال 2022 در دسترس قرار دهد. بعلاوه فراوری نسل نهم تراشه V-NAND هم در دستور کار سامسونگ قرار گرفته و گفته می گردد در سال 2024 شاهد عرضه نخستین محصول مجهز به آن خواهیم بود.
منبع: NotebookCheck
منبع: دیجیکالا مگ